机构:受HBM产能排挤 DRAM产品恐面临供不应求
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据TrendForce集邦咨询研究,三大原厂开始提高先进制程的投片,继存储器合约价翻扬后,公司资金投入开始增加,产能提升将集中在今年下半年,预期1alpha nm(含)以上投片至年底将占DRAM总投片比重约40%。其中,HBM由于获利表现佳,加上需求持续看增,故生产顺序最优先。但受限于良率仅约50%~60%,且晶圆面积相较DRAM产品放大逾60%,意即所占投片比重高。尽管三大原厂的新厂将于2025年完工,但部分厂房后续的量产时程尚未有明确规划,需依赖2024年的获利,才能得以持续扩大采购机台,这也进一步推动三大原厂坚守存储器价格今年涨势。除此之外,由于NVIDIA GB200将于2025年放量,其规格为HBM3e 192/384GB,预期HBM产出将接近翻倍,且紧接各原厂将迎来HBM4研发,若投资没有明显扩大,因各家产能规划皆以HBM为优先,在产能排挤的效应之下,DRAM产品恐有供应不及的可能性。